AI发展最大瓶颈！DRAM ETF飙升至历史新高
【编者按】全球AI军备竞赛正悄然转向“内存战场”。当大多数人还在关注算力芯片的突破时，一个更隐蔽的瓶颈已浮出水面——高带宽内存（DRAM）芯片。最新数据显示，Roundhill Memory ETF（DRAM）仅用43天就狂揽98亿美元资产，刷新了ETF史上最快吸金纪录。这不仅是资本市场的狂热，更是AI产业底层逻辑的剧变：内存芯片的供需失衡可能持续到2028年。本文深度解析这一现象背后的产业逻辑，揭示为何原本周期性的“小角色”突然成为制约AI发展的“卡脖子”环节。对于投资者而言，读懂内存芯片的稀缺性，或许比追逐算力龙头更具战略价值。以下为原文编译：
据TMX VettaFi数据，Roundhill Memory ETF（DRAM）在43天内资产规模突破98亿美元，创下交易所交易基金有史以来的最快增速。
在周四这一里程碑事件前夕，Roundhill Investments首席执行官向CNBC的”ETF Edge”节目透露，这种爆发式增长与参与高带宽内存（DRAM）芯片生产的公司数量有限密切相关。这些芯片被视为人工智能革命的核心组件。
“投资者正意识到，AI建设过程中最大的瓶颈其实是内存芯片，”Dave Mazza周一表示，”内存领域存在惊人的供需失衡，这正是相关股票表现如此强劲的原因之一。”
Mazza指出，只有少数公司参与高带宽内存芯片的制造。
“历史上，内存行业一直具有极强的周期性。我们经历过多次繁荣与萧条周期。而它之所以如此周期性，是因为内存芯片无处不在——从智能电视到手机，再到汽车，”他解释道，”但如今，数据中心以及AI的增长与建设正在改变这一格局。”
Mazza预计，受AI需求和数据中心超大规模建设推动，这种供需失衡可能持续到2028年。
‘我感到震惊’
在一份发给CNBC的特别报告中，TMX VettaFi的Todd Rosenbluth对DRAM的受欢迎程度作出回应——该ETF被认为是自比特币狂热以来最热门的产品。
“我对这只ETF的快速普及感到震惊，因为通过ETF获取内存股票的需求并不像比特币那样被压抑，”该公司研究及编辑主管周四写道，”主题ETF正通过提供快速增长公司的投资渠道而持续获得关注。”
花旗研究的Drew Pettit相信这一强劲势头还将延续。
“价格动能背后有盈利增长作为支撑。因此，这是今年美国乃至全球范围内盈利修正最为显著的领域，”该公司美国股票及ETF策略研究主管在与Mazza的同一场采访中向”ETF Edge”表示，”即使股价上涨300%，但如果未来几年的盈利预期增长6到8倍，对我们而言它仍然处于合理定价区间。”
DRAM在周五交易中面临压力。但自成立以来，其涨幅已超过80%。
DRAM在周五交易中面临压力。但自成立以来，其涨幅已超过80%。
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